高端應(yīng)用驅(qū)動(dòng)，挑戰(zhàn)與機(jī)遇并存

AI浪潮奔涌，算力市場(chǎng)迎高速增長(zhǎng)，基于人工智能的算力新基建需求，給MLCC帶來(lái)了新的挑戰(zhàn)與機(jī)遇。一是MLCC用量激增，AI服務(wù)器需多塊高功耗GPU，單模塊需數(shù)百顆MLCC，如英偉達(dá)8-GPUHopperHGX服務(wù)器MLCC用量增7-8倍，GB200NVL72機(jī)架方案用量增百倍以上；二是MLCC容量密度提升，服務(wù)器高算力依賴(lài)強(qiáng)大電源管理，高容值MLCC可提升能量存儲(chǔ)與電流穩(wěn)定性，滿(mǎn)足電源電路的需求，用量也隨之大增；三是MLCC可靠性要求提升，現(xiàn)代AI服務(wù)器架構(gòu)通常在單個(gè)基板上集成多個(gè)GPU模塊，每個(gè)機(jī)架可能容納多個(gè)ASIC/GPU單元，這種配置隨著計(jì)算需求的增加產(chǎn)生大量熱量，芯片周?chē)鶰LCC的環(huán)境溫度也隨之升高，要求MLCC具備良好的高溫可靠性。總體而言，AI算力領(lǐng)域?qū)LCC的容量密度、耐高溫、高可靠性提出了更加嚴(yán)苛的要求。

極限高容系列產(chǎn)品應(yīng)用電路圖

夯實(shí)技術(shù)能力，關(guān)鍵技術(shù)自主可控

為滿(mǎn)足AI算力領(lǐng)域?qū)LCC的新需求，風(fēng)華高科積極布局關(guān)鍵材料與核心工藝技術(shù)，持續(xù)夯實(shí)極限高容MLCC技術(shù)能力。實(shí)現(xiàn)了極限高容MLCC用耐高溫添加劑、高覆蓋率鎳漿、高致密端漿等系列關(guān)鍵材料自產(chǎn)化，解決了極限高容MLCC用關(guān)鍵材料受到制約的難題；掌握了100nm以下鈦酸鋇粉體的均質(zhì)分散與0.5μm超薄膜片流延技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了1000層以上超薄膜片的精密、穩(wěn)定疊層，建立了獨(dú)有的極限高容MLCC燒結(jié)工藝體系，有效提升了產(chǎn)品使用壽命，降低了系列高容MLCC產(chǎn)品失效率，實(shí)現(xiàn)了高可靠性極限高容的穩(wěn)定制備與生產(chǎn)。通過(guò)以上技術(shù)突破，實(shí)現(xiàn)了MLCC關(guān)鍵材料和核心工藝技術(shù)的自主可控，并通過(guò)承辦多項(xiàng)MLCC行業(yè)新標(biāo)準(zhǔn)的制定，有力推動(dòng)了MLCC行業(yè)發(fā)展。

風(fēng)華高科MLCC技術(shù)發(fā)明專(zhuān)利（部分）

打磨產(chǎn)品質(zhì)量，角逐高端應(yīng)用市場(chǎng)

風(fēng)華高科極限高容MLCC產(chǎn)品最高容量達(dá)到220μF，直流偏置電壓下容量衰減小，且在高溫負(fù)載下保持良好的絕緣穩(wěn)定性，完美契合了AI算力領(lǐng)域?qū)LCC高有效容量和高可靠性的嚴(yán)苛需求。

典型產(chǎn)品性能規(guī)格型號(hào)

典型產(chǎn)品特性曲線（0805X6S100uF2.5V）

產(chǎn)品特點(diǎn)

高容量密度：極限高容系列產(chǎn)品具備較高的容量密度，滿(mǎn)足AI服務(wù)器對(duì)能量存儲(chǔ)和電流穩(wěn)定性的需求。

良好的溫度特性：在-55~105℃寬溫度范圍內(nèi)，產(chǎn)品容量變化率在-22%~＋22%之間，滿(mǎn)足EIA標(biāo)準(zhǔn)X6S溫度特性。

高有效容量：在直流偏置電壓下，容量衰減小，老化特性達(dá)到行業(yè)先進(jìn)水平，確保在實(shí)際使用條件下保持高的有效容量。

良好的高溫可靠性：在105℃、1.5倍額定電壓下，產(chǎn)品依然保持良好的絕緣穩(wěn)定性，滿(mǎn)足AI服務(wù)器等工控領(lǐng)域?qū)LCC高溫、高可靠性的嚴(yán)苛要求。

風(fēng)華高科將進(jìn)一步協(xié)同產(chǎn)業(yè)鏈上下游，繼續(xù)深耕極限高容MLCC原材料、工藝、制造、應(yīng)用等技術(shù)，帶動(dòng)MLCC上游產(chǎn)業(yè)發(fā)展；推出更高容量密度、更高溫度穩(wěn)定性、更高可靠性的MLCC產(chǎn)品，支撐AI算力等工控產(chǎn)業(yè)持續(xù)健康發(fā)展。